Sat Apr 27 10:20:26 2024

新三板创新层公司纳晶科技新增专利信息:纳米晶的制备方法

新三板创新层公司纳晶科技新增专利信息:纳米晶的制备方法,每经AI快讯,据启信宝,新三板创新层公司纳晶科技(830933)新增专利信息,专利权人为纳晶科技,专利申请日为2020年4月24日,专利名称为纳米晶的制备方法,专利类型为中国发明专利,专利申请号为CN……


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每经AI快讯,据启信宝,新三板创新层公司纳晶科技(830933)新增专利信息,专利权人为纳晶科技,专利申请日为2020年4月24日,专利名称为纳米晶的制备方法,专利类型为中国发明专利,专利申请号为CN202010332062.8。该专利摘要显示:本发明提供了一种纳米晶的制备方法,包括以下步骤:S1,准备含掺杂金属前体的溶液;S2,将含第一VI族元素前体的分散系与掺杂金属前体的溶液混合并反应第一时间,形成包含掺杂金属‑VI粒子的第一产物体系,其中,第一VI族元素前体的物质的量大于掺杂金属前体的物质的量,含第一VI族元素前体的分散系包括非配位溶剂,第一时间小于1分钟;S3,将三烷基膦与第一产物体系混合并反应一定时间,形成第二产物体系;S4,将第二产物体系与第一II族元素前体混合反应一定时间,形成含掺杂金属的II‑VI族元素纳米晶的第三产物体系,其中,第一II族元素前体与第一VI族元素前体的物质的量比例为1:1~5:1。本发明得到的含掺杂金属的II‑VI族元素纳米晶半峰宽窄、荧光效率高。

(记者 张弩)

原文链接: http://www.zdm5.com/article-145792.html

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